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KLA-Tencor Spectra-Shape 8660 光學(xué)計(jì)量?jī)x是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體晶圓測(cè)試和計(jì)量設(shè)備，主要用于精確測(cè)量半導(dǎo)體晶圓的特征尺寸和形狀。該系統(tǒng)采用光學(xué)技術(shù)，能夠?qū)χ睆竭_(dá)300毫米的晶圓進(jìn)行高精度的CD（Critical Dimension）測(cè)量和形狀測(cè)量。

KLA-Tencor Puma 9100 晶圓檢測(cè)儀是一款先進(jìn)的半導(dǎo)體晶圓測(cè)試和計(jì)量設(shè)備，廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)及研發(fā)領(lǐng)域。該設(shè)備具有高精度和可重復(fù)性的特點(diǎn)，能夠提供精確的微觀級(jí)測(cè)量能力。它配備了易于使用的裝載端口、機(jī)器人和光學(xué)檢查功能，以及多軸平臺(tái)，用于實(shí)現(xiàn)精確的微米級(jí)測(cè)量。Puma 9100 還集成了圖像傳感器和智能系統(tǒng)，以確保光學(xué)測(cè)量的準(zhǔn)確性，并且具備自動(dòng)化的樣品處理能力，可以進(jìn)行檢查區(qū)域的成像

KLA-Tencor Puma 9000 晶圓檢測(cè)儀 是一款優(yōu)良的晶圓檢測(cè)和計(jì)量設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造業(yè)。該系統(tǒng)利用KLA-Tencor創(chuàng)新的Streak™暗視野成像技術(shù)，成功克服了傳統(tǒng)掃描激光與光電倍增管（PMT）式檢測(cè)系統(tǒng)的限制，從而達(dá)到業(yè)界領(lǐng)xian的效能。

KLA-Tencor AIT XUV 晶圓檢測(cè)儀是一款優(yōu)良的晶圓測(cè)試和計(jì)量設(shè)備，主要用于半導(dǎo)體行業(yè)的高精度檢測(cè)。該系統(tǒng)采用超紫外（UV）模式匹配技術(shù)和最新一代的Datalite軟件，能夠以極gao的速度和精度檢測(cè)出1/10000毫米大小的小缺陷。此外，它還具備激光掃描功能，可以進(jìn)行300mm晶圓的雙暗場(chǎng)光學(xué)檢查，具有更高的吞吐量和靈敏度，適用于65nm生產(chǎn)需求。

KLA-Tencor AIT XP 晶圓檢測(cè)儀是一款功能強(qiáng)大且高效的晶圓測(cè)試和計(jì)量設(shè)備，通過(guò)其先進(jìn)的檢測(cè)技術(shù)、自動(dòng)化功能和模塊化設(shè)計(jì)，能夠顯著提升半導(dǎo)體制造過(guò)程中的缺陷檢測(cè)能力和生產(chǎn)效率。該系統(tǒng)能夠在80秒內(nèi)完成整個(gè)圖案化晶圓的檢查，并且具有較高的缺陷捕獲率，這使得其相比現(xiàn)有系統(tǒng)可以提高多達(dá)75%的吞吐量。KLA-Tencor AIT XP 使用暗場(chǎng)顯微鏡技術(shù)進(jìn)行缺陷檢測(cè)，結(jié)合混合模式檢測(cè).

KLA-Tencor AIT II 晶圓檢測(cè)儀是一種先進(jìn)的晶圓測(cè)試和計(jì)量系統(tǒng)，專(zhuān)為半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)具有多種功能和特點(diǎn)，使其在晶圓缺陷檢測(cè)和過(guò)程控制方面表現(xiàn)出色。 KLA-Tencor AIT II 支持不同尺寸的晶圓，包括200mm、300mm甚至450mm。它采用雙暗場(chǎng)檢查工具，并具備SECS/GEM通信接口，能夠?qū)崿F(xiàn)高通量的自動(dòng)化測(cè)試。

KLA-Tencor AIT I 晶圓檢測(cè)儀是一種用于檢測(cè)圖案化晶圓表面缺陷的系統(tǒng)。 該系統(tǒng)配置為處理6英寸（150毫米）和8英寸（200毫米）的晶圓，并具備自動(dòng)對(duì)焦和雙暗場(chǎng)檢查功能。 此外，它還配備了多通道采集光學(xué)系統(tǒng)、獨(dú)立可編程的空間濾波器以及X/Y驅(qū)動(dòng)/控制器機(jī)架和運(yùn)動(dòng)控制器卡。

KLA-Tencor 2351 晶圓檢測(cè)儀是一種先進(jìn)的晶圓和掩模檢測(cè)系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造行業(yè)。該系統(tǒng)具備多種功能，包括高分辨率成像、自動(dòng)化分析以及專(zhuān)門(mén)的缺陷檢測(cè)和過(guò)程改進(jìn)設(shè)備。它利用激光掃描技術(shù)來(lái)檢測(cè)和分類(lèi)半導(dǎo)體晶片上的缺陷，以提高產(chǎn)率，并提供全場(chǎng)自上而下的掃描、600倍或1000倍放大資產(chǎn)等高性能缺陷審查模型。